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GermanyNTJD2152PT1G
元器件型号详细信息
原厂型号
NTJD2152PT1G
摘要
MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
详情
MOSFET - 阵列 8V 775mA 270mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
8V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
775mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
300 毫欧 @ 570mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
225pF @ 8V
功率 - 最大值
270mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
SC-88/SC70-6/SOT-363
基本产品编号
NTJD21
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
NTJD2152PT1GOSTR
NTJD2152PT1GOS-ND
NTJD2152PT1GOS
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi NTJD2152PT1G
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规格书
1(NTJD2152P-D)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 14/Apr/2010)
HTML 规格书
1(NTJD2152P-D)
EDA 模型
1(NTJD2152PT1G by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-