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GermanyULN2075B
元器件型号详细信息
原厂型号
ULN2075B
摘要
TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 4 NPN 达林顿（双） 80V 1.75A 1W 通孔 16-PowerDIP（20x7.10）
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
25
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
-
包装
管件
产品状态
最后售卖
晶体管类型
4 NPN 达林顿（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
1.75A
电压 - 集射极击穿（最大值）
80V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
1.5V @ 2.25mA，1.5A
电流 - 集电极截止（最大值）
-
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
-
功率 - 最大值
1W
频率 - 跃迁
-
工作温度
-20°C ~ 85°C（TA）
安装类型
通孔
封装/外壳
16-PowerDIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装
16-PowerDIP（20x7.10）
基本产品编号
ULN2075
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
497-3084-5-NDR
497-3084-5
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极晶体管阵列/STMicroelectronics ULN2075B
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规格书
1(ULN20xxB)
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HTML 规格书
1(ULN20xxB)
EDA 模型
1(ULN2075B by Ultra Librarian)
价格
数量: 1000
单价: $28.85699
包装: 管件
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包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : TBD62064APG,HZ
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 25
单价. : ¥11.84000
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