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GermanySIA430DJT-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SIA430DJT-T1-GE3
摘要
MOSFET N-CH 20V 12A PPAK SC70-6
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 12A（Tc） 19.2W（Tc） PowerPAK® SC-70-6 单
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
13.5 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
800 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
19.2W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® SC-70-6 单
封装/外壳
PowerPAK® SC-70-6
基本产品编号
SIA430
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
742-SIA430DJT-T1-GE3DKR
742-SIA430DJT-T1-GE3CT
742-SIA430DJT-T1-GE3TR
SIA430DJT-T1-GE3-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SIA430DJT-T1-GE3
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规格书
1(N-Channel 20 V (D-S) MOSFET)
EDA 模型
1(SIA430DJT-T1-GE3 by Ultra Librarian)
价格
数量: 3000
单价: $1.55521
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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替代型号
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