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GermanyIRFH5302DTR2PBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRFH5302DTR2PBF
摘要
MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 29A（Ta），100A（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
400
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
剪切带（CT）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
29A（Ta），100A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.5 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.35V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
55 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3635 pF @ 25 V
FET 功能
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PQFN（5x6）单芯片焊盘
封装/外壳
8-PowerVDFN
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRFH5302DTR2PBFCT
SP001566862
IRFH5302DTR2PBFTR
IRFH5302DTR2PBFDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFH5302DTR2PBF
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规格书
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产品培训模块
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 13/Nov/2013)
PCN 组装/来源
1(Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013)
HTML 规格书
1(IRFH5302DPBF)
价格
-
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