SI4900DY-T1-GE3

元器件型号详细信息

原厂型号

SI4900DY-T1-GE3

摘要

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

详情

MOSFET - 阵列 60V 5.3A 3.1W 表面贴装型 8-SOIC

原厂/品牌

Vishay Siliconix

原厂到货时间

36 周

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

包装

卷带（TR）

Product Status

在售

技术

MOSFET（金属氧化物）

配置

2 N-通道（双）

FET 功能

逻辑电平门

漏源电压（Vdss）

60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

5.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

58 毫欧 @ 4.3A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

20nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

665pF @ 15V

功率 - 最大值

3.1W

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装

8-SOIC

基本产品编号

SI4900

其它名称

SI4900DY-T1-GE3DKR

SI4900DY-T1-GE3TR

SI4900DY-T1-GE3CT

SI4900DY-T1-GE3-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay Siliconix SI4900DY-T1-GE3

价格

数量: 12500

单价: $3.84648
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 5000

单价: $3.99673
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 2500

单价: $4.20709
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 1000

单价: $4.50759
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $5.70962
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $6.9116
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $8.864
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $9.94
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $4.50759
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $5.70962
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $6.9116
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $8.864
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $9.94
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

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