元器件型号详细信息

原厂型号
IRFH7936TR2PBF
摘要
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN56
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 20A(Ta),54A(Tc) 8-PQFN(5x6)
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
400

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
剪切带(CT)
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A(Ta),54A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.8 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.35V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
26 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2360 pF @ 15 V
FET 功能
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PQFN(5x6)
封装/外壳
8-PowerTDFN

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

IRFH7936TR2PBFCT
IRFH7936TR2PBFDKR
IRFH7936TR2PBFTR
SP001560420

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IRFH7936TR2PBF

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1(Multiple Devices 13/Nov/2013)
PCN 组装/来源
1(Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013)
HTML 规格书
1(IRFH7936PbF)
仿真模型
1(IRFH7936TR2PBF Saber Model)

价格

-

替代型号

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