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GermanyFDW262P
元器件型号详细信息
原厂型号
FDW262P
摘要
MOSFET P-CH 20V 4.5A 8TSSOP
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 4.5A（Ta） 1.3W（Ta） 8-TSSOP
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
47 毫欧 @ 4.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1193 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.3W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-TSSOP
封装/外壳
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
基本产品编号
FDW26
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDW262P
相关文档
规格书
1(FDW262P)
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
1(onsemi RoHS)
特色产品
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
HTML 规格书
1(FDW262P)
价格
-
替代型号
-