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元器件型号详细信息
原厂型号
STE180NE10
摘要
MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP
详情
底座安装 N 通道 100 V 180A（Tc） 360W（Tc） ISOTOP®
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
10
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
STripFET™
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6 欧姆 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
795 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
21000 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
360W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
供应商器件封装
ISOTOP®
封装/外壳
ISOTOP
基本产品编号
STE1
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
497-3166-5
497-3166-5-NDR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STE180NE10
相关文档
规格书
1(STE180NE10)
视频文件
1(Motor Control in Electric Vehicles)
HTML 规格书
1(STE180NE10)
价格
-
替代型号
型号 : IXFN180N10
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
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