元器件型号详细信息

原厂型号
STGW60H65DFB-4
摘要
IGBT
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 375 W 通孔 TO-247-4
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
600

技术参数

制造商
STMicroelectronics
系列
HB
包装
管件
Product Status
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
240 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V @ 15V,60A
功率 - 最大值
375 W
开关能量
346µJ(开),1.161mJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
306 nC
25°C 时 Td(开/关)值
65ns/261ns
测试条件
400V,60A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
60 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-4
供应商器件封装
TO-247-4
基本产品编号
STGW60

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

STGW60H65DFB-4-ND
497-STGW60H65DFB-4

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/STMicroelectronics STGW60H65DFB-4

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规格书
1(STGW60H65DFB-4)
PCN 组装/来源
1(IGBT/IPM TFS A/T Add 22/Oct/2021)
HTML 规格书
1(STGW60H65DFB-4)
EDA 模型
1(STGW60H65DFB-4 by Ultra Librarian)

价格

数量: 1000
单价: $29.81094
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $32.65292
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $37.4982
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $45.297
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $50.16
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

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