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GermanyBSC017N04NSGATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSC017N04NSGATMA1
摘要
MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.7 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 85µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
108 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
8800 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），139W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1
封装/外壳
8-PowerTDFN
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP000394684
IFEINFBSC017N04NSGATMA1
BSC017N04NS GTR
BSC017N04NS GDKR
BSC017N04NS GDKR-ND
BSC017N04NSGATMA1CT
BSC017N04NS G
BSC017N04NS GCT-ND
BSC017N04NSG
BSC017N04NS G-ND
BSC017N04NS GCT
2156-BSC017N04NSGATMA1
BSC017N04NS GTR-ND
BSC017N04NSGATMA1TR
BSC017N04NSGATMA1DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSC017N04NSGATMA1
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规格书
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PCN 封装
()
PCN 其他
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HTML 规格书
1(BSC017N04NS G)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 40V N-Channel Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : ISC017N04NM5ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥14.31000
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥14.31000
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型号 : FDMS8460
制造商 : onsemi
库存 : 31,186
单价. : ¥23.05000
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型号 : CSD17307Q5A
制造商 : Texas Instruments
库存 : 5,029
单价. : ¥6.28000
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