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GermanyZXM62P03GTA
元器件型号详细信息
原厂型号
ZXM62P03GTA
摘要
MOSFET P-CH 30V 2.9A/4A SOT223
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 2.9A（Ta），4A（Tc） 2W（Ta） SOT-223-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.9A（Ta），4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
150 毫欧 @ 1.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
330 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223-3
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated ZXM62P03GTA
相关文档
规格书
1(ZXM62P03G)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
HTML 规格书
1(ZXM62P03G)
EDA 模型
1(ZXM62P03GTA by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
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