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GermanyDMN13H750S-13
元器件型号详细信息
原厂型号
DMN13H750S-13
摘要
MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
详情
表面贴装型 N 通道 130 V 1A（Ta） 770mW（Ta） SOT-23-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
25 周
EDA/CAD 模型
标准包装
10,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
130 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
750 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
231 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
770mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
DMN13
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMN13H750S-13
相关文档
规格书
1(DMN13H750S)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
价格
数量: 50000
单价: $1.33224
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
数量: 30000
单价: $1.34627
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
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最小包装数量: 10000
替代型号
-