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GermanyDMN100-7-F
元器件型号详细信息
原厂型号
DMN100-7-F
摘要
MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 1.1A（Ta） 500mW（Ta） SC-59-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
240 毫欧 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
150 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SC-59-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
DMN100
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
DMN100-FDICT
DMN100-FDITR
DMN100-FDIDKR
DMN1007F
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMN100-7-F
相关文档
规格书
1(DMN100)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 17/Feb/2022)
PCN 设计/规格
1(Bond Wire 3/May/2011)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021)
PCN 其他
1(Subs 2-17-2023)
HTML 规格书
1(DMN100)
价格
-
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