元器件型号详细信息

原厂型号
IPD040N03LGATMA1
摘要
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 90A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3-11
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
40 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
38 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3900 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
79W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3-11
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
IPD040

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

IPD040N03LGINTR
IPD040N03LGATMA1CT
SP000680628
IPD040N03LG
IPD040N03L G
INFINFIPD040N03LGATMA1
2156-IPD040N03LGATMA1
IPD040N03LGINDKR-ND
IPD040N03LGINCT
IPD040N03LGATMA1TR
IPD040N03LG-ND
IPD040N03LGATMA1DKR
IPD040N03LGXT
IPD040N03LGINTR-ND
IPD040N03LGINDKR
IPD040N03LGINCT-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPD040N03LGATMA1

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价格

数量: 12500
单价: $3.78222
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 5000
单价: $3.92996
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 2500
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数量: 1000
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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数量: 10
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
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