元器件型号详细信息

原厂型号
BSC0402NSATMA1
摘要
150V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL,
详情
表面贴装型 N 通道 150 V 80A(Tc) 139W(Tc) PG-TDSON-8-7
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™ 5
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
8V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
9.3 毫欧 @ 40A,10
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.6V @ 107µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
33 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2400 pF @ 75 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
139W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-7
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
BSC0402

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SP005399476
448-BSC0402NSATMA1DKR
448-BSC0402NSATMA1CT
448-BSC0402NSATMA1TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies BSC0402NSATMA1

相关文档

规格书
1(BSC0402NS)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Mould Chgs 22/Jun/2022)
PCN 组装/来源
1(Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022)
EDA 模型
()

价格

数量: 5000
单价: $11.64795
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 5000
数量: 2000
单价: $12.10297
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $12.73992
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $15.10596
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $17.7451
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $21.655
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $24.09
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最小包装数量: 1

替代型号

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