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GermanyHN3C10FUTE85LF
元器件型号详细信息
原厂型号
HN3C10FUTE85LF
摘要
RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
详情
RF 晶体管 2 NPN（双） 12V 80mA 7GHz 200mW 表面贴装型 US6
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
晶体管类型
2 NPN（双）
电压 - 集射极击穿（最大值）
12V
频率 - 跃迁
7GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）
1.1dB @ 1GHz
增益
11.5dB
功率 - 最大值
200mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
80 @ 20mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
80mA
工作温度
-
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
US6
基本产品编号
HN3C10
相关信息
RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
HN3C10FUTE85LFTR
HN3C10FUTE85LFCT
HN3C10FUTE85LFDKR
HN3C10FU(TE85L,F)
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极射频晶体管/Toshiba Semiconductor and Storage HN3C10FUTE85LF
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价格
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