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GermanyWNSC2D10650TJ
元器件型号详细信息
原厂型号
WNSC2D10650TJ
摘要
DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
详情
二极管 650 V 10A 表面贴装型 5-DFN（8x8）
原厂/品牌
WeEn Semiconductors
原厂到货时间
8 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
WeEn Semiconductors
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
SiC（Silicon Carbide）Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
650 V
电流 - 平均整流 (Io)
10A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.7 V @ 10 A
速度
无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间 (trr)
0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
50 µA @ 650 V
不同 Vr、F 时电容
310pF @ 1V，1MHz
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
4-VSFN 裸露焊盘
供应商器件封装
5-DFN（8x8）
工作温度 - 结
175°C
基本产品编号
WNSC2
相关信息
RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
其它名称
1740-WNSC2D10650TJCT
1740-WNSC2D10650TJTR
1740-WNSC2D10650TJDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/WeEn Semiconductors WNSC2D10650TJ
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规格书
1(WNSC2D10650T)
价格
数量: 1000
单价: $11.12942
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 3000
单价: $11.92438
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 500
单价: $13.19632
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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单价: $15.5017
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 10
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 1
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替代型号
-