元器件型号详细信息

原厂型号
BYG21M
摘要
DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC
详情
二极管 1000 V 1.5A 表面贴装型 DO-214AC(SMA)
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
6 周
EDA/CAD 模型
标准包装
7,500

技术参数

制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
技术
雪崩
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
1000 V
电流 - 平均整流 (Io)
1.5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.6 V @ 1.5 A
速度
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr)
120 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
1 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容
13pF @ 4V,1MHz
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
DO-214AC,SMA
供应商器件封装
DO-214AC(SMA)
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C
基本产品编号
BYG21

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080

其它名称

1801-BYG21MTR
BYG21M M2G-ND
BYG21MM2G
BYG21MM2G-ND
BYG21M M2G

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Taiwan Semiconductor Corporation BYG21M

相关文档

规格书
1(BYG21M)
环保信息
()
PCN 封装
1(Mult Dev Pkg/Status Chgs 5/Feb/2021)
PCN 零件编号
1(Part Number Update 1/Jan/2021)
EDA 模型
1(BYG21M by SnapEDA)

价格

数量: 15000
单价: $0.75365
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 15000

替代型号

型号 : BYG21M-E3/TR
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制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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替代类型. : 直接
型号 : BYG10M-E3/TR3
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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型号 : BYG10M-E3/TR
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