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GermanyFDB3652
元器件型号详细信息
原厂型号
FDB3652
摘要
MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 9A（Ta），61A（Tc） 150W（Tc） D²PAK（TO-263）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A（Ta），61A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16 毫欧 @ 61A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
53 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2880 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK（TO-263）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
FDB365
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FDB3652DKR
FDB3652TR
FDB3652-ND
FAIFSCFDB3652
2156-FDB3652
FDB3652CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDB3652
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规格书
1(FDB3652, FDP3652)
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
()
特色产品
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Assembly Change 09/May/2023)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(FDB3652, FDP3652)
EDA 模型
1(FDB3652 by Ultra Librarian)
价格
数量: 800
单价: $10.67708
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
数量: 100
单价: $12.9956
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $16.168
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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单价: $16.168
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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单价: $17.98
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : PSMN027-100BS,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 868
单价. : ¥11.66000
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制造商 : Infineon Technologies
库存 : 685
单价. : ¥18.14000
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型号 : PSMN016-100BS,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 165
单价. : ¥13.61000
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型号 : STB40NF10LT4
制造商 : STMicroelectronics
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制造商 : Nexperia USA Inc.
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制造商 : Infineon Technologies
库存 : 3,944
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制造商 : Infineon Technologies
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型号 : IXTA80N10T
制造商 : IXYS
库存 : 6,957
单价. : ¥31.18000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥31.18000
替代类型. : 类似