元器件型号详细信息

原厂型号
STP85NF55
摘要
MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
详情
通孔 N 通道 55 V 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
STMicroelectronics
系列
STripFET™ II
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
150 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3700 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
300W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
STP85

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

497-6744-5
497-STP85NF55
STP85NF55-ND
497-6744-5-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/STMicroelectronics STP85NF55

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PCN 设计/规格
1(Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assembly Site Chg 14/Feb/2020)
PCN 封装
1(Traceability 06/Mar/2017)
HTML 规格书
1(STx85NF55)
EDA 模型
()

价格

-

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