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20260104
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元器件资讯
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FS100R07N2E4BOSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
FS100R07N2E4BOSA1
摘要
IGBT MOD 650V 100A 335W
详情
IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 650 V 100 A 335 W 底座安装 模块
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
10
供应商库存
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技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
EconoPACK™ 2
包装
散装
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
100 A
功率 - 最大值
335 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.95V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值)
1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
6.2 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
是
工作温度
-40°C ~ 150°C
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
FS100R07
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP000843926
FS100R07N2E4
FS100R07N2E4-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Infineon Technologies FS100R07N2E4BOSA1
相关文档
规格书
1(FS100R07N2E4)
HTML 规格书
1(FS100R07N2E4)
价格
数量: 1
单价: $938.41
包装: 散装
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : FS100R07PE4BOSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥901.14000
替代类型. : 参数等效
型号 : FP100R07N3E4B11BOSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥1,586.40000
替代类型. : 参数等效
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