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元器件型号详细信息
原厂型号
APT38F80B2
摘要
MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX
详情
通孔 N 通道 800 V 41A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX™ [B2]
原厂/品牌
Microchip Technology
原厂到货时间
40 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Microchip Technology
系列
POWER MOS 8™
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
41A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
240 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
260 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
8070 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1040W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
T-MAX™ [B2]
封装/外壳
TO-247-3 变式
基本产品编号
APT38F80
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
APT38F80B2MI-ND
APT38F80B2MI
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Microchip Technology APT38F80B2
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规格书
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环保信息
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HTML 规格书
()
价格
数量: 100
单价: $126.669
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $146.6
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
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