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GermanyIPDH6N03LAG
元器件型号详细信息
原厂型号
IPDH6N03LAG
摘要
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 25 V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3-11
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 30µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
19 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2390 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
71W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3-11
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IPDH6
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPDH6N03LAGINCT
IPDH6N03LAGINDTR-ND
2156-IPDH6N03LAG
IPDH6N03LAGXTINCT
IPDH6N03LAGINTR-NDR
IPDH6N03LAGINTR
IPDH6N03LAGXTINCT-ND
IPDH6N03LAGXTINTR-ND
SP000065817
IPDH6N03LAGXTINTR
IFEINFIPDH6N03LAG
IPDH6N03LAGXT
IPDH6N03LAGINCT-NDR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPDH6N03LAG
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规格书
1(IPD(F,S,U)H6N03LA G)
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1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 04/Jun/2009)
HTML 规格书
1(IPD(F,S,U)H6N03LA G)
价格
数量: 100
单价: $4.978
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $5.684
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $6.92
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : IPD060N03LGATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,923
单价. : ¥8.27000
替代类型. : 直接
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型号 : STD100N3LF3
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库存 : 2,954
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