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GermanyVS-ETH3007T-N3
元器件型号详细信息
原厂型号
VS-ETH3007T-N3
摘要
DIODE GEN PURP 650V 30A TO220AC
详情
二极管 650 V 30A 通孔 TO-220AC
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
FRED Pt®
包装
管件
产品状态
停产
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
650 V
电流 - 平均整流 (Io)
30A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
2.1 V @ 30 A
速度
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr)
37 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
30 µA @ 650 V
不同 Vr、F 时电容
-
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-2
供应商器件封装
TO-220AC
工作温度 - 结
-55°C ~ 175°C
基本产品编号
ETH300
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
其它名称
VS-ETH3007T-N3GICT-ND
VS-ETH3007T-N3GI
VS-ETH3007T-N3GIDKR
VS-ETH3007T-N3GIDKRINACTIVE
VS-ETH3007T-N3GIDKR-ND
VS-ETH3007T-N3GITR
VS-ETH3007T-N3GICTINACTIVE
VS-ETH3007T-N3GITR-ND
VS-ETH3007T-N3GICT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETH3007T-N3
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PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices EOL 19/Jan/2018)
价格
-
替代型号
型号 : VS-ETH3007-M3
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 8,000
单价. : ¥11.85000
替代类型. : 直接
库存 : 8,000
单价. : ¥11.85000
替代类型. : 直接
型号 : VS-ETH3007THN3
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 1,497
单价. : ¥13.67000
替代类型. : 参数等效
库存 : 1,497
单价. : ¥13.67000
替代类型. : 参数等效
型号 : VS-EPH3007L-N3
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 0
单价. : ¥23.53000
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
单价. : ¥23.53000
替代类型. : 参数等效
型号 : IDP30E65D1XKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 916
单价. : ¥22.18000
替代类型. : 类似
库存 : 916
单价. : ¥22.18000
替代类型. : 类似
型号 : IDP08E65D2XKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2
单价. : ¥11.53000
替代类型. : 类似
库存 : 2
单价. : ¥11.53000
替代类型. : 类似
型号 : IDP15E65D1XKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥14.07000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥14.07000
替代类型. : 类似
型号 : IDP08E65D1XKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥15.50000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥15.50000
替代类型. : 类似