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GermanyDF2S8.2CT,L3F
元器件型号详细信息
原厂型号
DF2S8.2CT,L3F
摘要
TVS DIODE 6.5VWM CST2
详情
夹子 Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 CST2
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
10,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
类型
齐纳
单向通道
1
电压 - 反向断态（典型值）
6.5V
电压 - 击穿（最小值）
7.7V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）
-
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)
-
功率 - 峰值脉冲
-
电源线路保护
无
应用
通用
不同频率时电容
20pF @ 1MHz
工作温度
-
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOD-882
供应商器件封装
CST2
基本产品编号
DF2S8.2
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
其它名称
DF2S8.2CTL3FCTINACTIVE
DF2S8.2CT(TPL3)DKR
DF2S8.2CT,L3F(T
DF2S8.2CTL3F(BCT-ND
DF2S8.2CTL3FCT
DF2S8.2CTL3F(BTR-ND
DF2S8.2CT(TPL3)CT
DF2S8.2CT(TPL3)TR
DF2S8.2CTTPL3
DF2S8.2CTL3F(BCT
DF2S8.2CT(TPL3)TR-ND
DF2S8.2CTL3F(BDKR
DF2S8.2CT(TPL3)DKR-ND
DF2S8.2CT(TPL3)CT-ND
DF2S8.2CTL3FDKR
DF2S8.2CTL3FTRINACTIVE
DF2S8.2CTL3F(BTR
DF2S8.2CT(TPL3)
DF2S8.2CT,L3F(B
DF2S8.2CTL3FTR
DF2S8.2CTL3F(BDKR-ND
DF2S8.2CTL3FDKRINACTIVE
所属分类/目录
/产品索引 /电路保护/瞬态电压抑制器（TVS）/TVS 二极管/Toshiba Semiconductor and Storage DF2S8.2CT,L3F
相关文档
规格书
1(DF2S8.2CT)
PCN 零件编号
1(Part Number Change Due to Production Site Change Jul/2014)
EDA 模型
1(DF2S8.2CT,L3F by Ultra Librarian)
价格
数量: 10000
单价: $0.2088
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
替代型号
-