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GermanyNTHD3102CT1G
元器件型号详细信息
原厂型号
NTHD3102CT1G
摘要
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A
详情
MOSFET - 阵列 20V 4A，3.1A 1.1W 表面贴装型 ChipFET™
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
46 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A，3.1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
45 毫欧 @ 4.4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
510pF @ 10V
功率 - 最大值
1.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SMD，扁平引线
供应商器件封装
ChipFET™
基本产品编号
NTHD3102
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
=NTHD3102CT1GOSCT-ND
NTHD3102CT1GOSDKR
NTHD3102CT1GOSTR
NTHD3102CT1G-ND
NTHD3102CT1GOSCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi NTHD3102CT1G
相关文档
规格书
1(NTHD3102C)
环保信息
()
EDA 模型
()
价格
数量: 15000
单价: $3.29526
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 6000
单价: $3.42397
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 3000
单价: $3.60419
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $3.86159
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $4.89142
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 100
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
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