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元器件型号详细信息
原厂型号
HTNFET-T
摘要
MOSFET N-CH 55V 4POWER TAB
详情
通孔 N 通道 55 V 50W（Tj） 4-电源接片
原厂/品牌
Honeywell Aerospace
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Honeywell Aerospace
系列
HTMOS™
包装
散装
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
400 毫欧 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.3 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
290 pF @ 28 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
50W（Tj）
工作温度
-55°C ~ 225°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
4-电源接片
封装/外壳
4-SIP
基本产品编号
HTNFET
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
342-1091
HTNFETT
HTNFET-T-ND
22022208-002
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Honeywell Aerospace HTNFET-T
相关文档
规格书
1(HTNFET Datasheet ~)
HTML 规格书
1(HTNFET Datasheet ~)
价格
-
替代型号
-