元器件型号详细信息

原厂型号
TSM35N10CP ROG
摘要
MOSFET N-CHANNEL 100V 32A TO252
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 32A(Tc) 83.3W(Tc) TO-252,(D-Pak)
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
32A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
37 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
34 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1598 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
83.3W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
TSM35

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3(168 小时)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

TSM35N10CPROGTR
TSM35N10CP ROGTR-ND
TSM35N10CP ROGDKR-ND
TSM35N10CP ROGCT-ND
TSM35N10CPROGDKR
TSM35N10CP ROGCT
TSM35N10CP ROGTR
TSM35N10CPROGCT
TSM35N10CP ROGDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Taiwan Semiconductor Corporation TSM35N10CP ROG

相关文档

规格书
1(TSM35N10CP)
环保信息
()

价格

数量: 5000
单价: $12.93486
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 5000

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