English
Spain
Rusia
Italy
GermanyHN1B04FU-Y(T5L,F,T
元器件型号详细信息
原厂型号
HN1B04FU-Y(T5L,F,T
摘要
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 NPN，PNP 50V 150mA 150MHz 200mW 表面贴装型 US6
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
晶体管类型
NPN，PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
150mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
250mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
120 @ 2mA，6V
功率 - 最大值
200mW
频率 - 跃迁
150MHz
工作温度
125°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
US6
基本产品编号
HN1B04
相关信息
RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
其它名称
HN1B04FU-Y(T5LFTCT
HN1B04FU-Y(T5LFTDKR
HN1B04FU-Y(T5LFTTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极晶体管阵列/Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FU-Y(T5L,F,T
相关文档
规格书
1(HN1B04FU)
EDA 模型
1(HN1B04FU-Y(T5L,F,T by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : UMZ1NTR
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 86,704
单价. : ¥3.50000
替代类型. : 类似
库存 : 86,704
单价. : ¥3.50000
替代类型. : 类似
型号 : UMZ1NT1G
制造商 : onsemi
库存 : 2,508
单价. : ¥2.07000
替代类型. : 类似
库存 : 2,508
单价. : ¥2.07000
替代类型. : 类似