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元器件型号详细信息
原厂型号
AUIRF5210STRL
摘要
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
详情
表面贴装型 P 通道 100 V 38A（Tc） 3.1W（Ta），170W（Tc） D2PAK
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
Product Status
不适用于新设计
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
38A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
60 毫欧 @ 38A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
230 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2780 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），170W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
AUIRF5210
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
AUIRF5210STRLCT
AUIRF5210STRLDKR
AUIRF5210STRLTR
SP001519458
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies AUIRF5210STRL
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1(Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Chgs 30/Mar/2022)
PCN 封装
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML 规格书
1(AUIRF5210S)
EDA 模型
1(AUIRF5210STRL by Ultra Librarian)
价格
数量: 2400
单价: $27.67052
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
数量: 1600
单价: $28.73477
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
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最小包装数量: 800
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
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最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : IRF5210STRLPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 3,142
单价. : ¥26.31000
替代类型. : 参数等效
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单价. : ¥26.31000
替代类型. : 参数等效
型号 : IXTA52P10P
制造商 : IXYS
库存 : 1,645
单价. : ¥54.69000
替代类型. : 类似
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