English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIRF640NSPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRF640NSPBF
摘要
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 200 V 18A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
150 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
67 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1160 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP001554094
64-2142PBF-ND
*IRF640NSPBF
2156-IRF640NSPBF-IT
64-2142PBF
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF640NSPBF
相关文档
规格书
1(IRF640N(S,L)PbF)
其他相关文档
1(IR Part Numbering System)
产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
特色产品
1(Data Processing Systems)
HTML 规格书
1(IRF640N(S,L)PbF)
仿真模型
1(IRF640NSPBF Saber Model)
价格
-
替代型号
型号 : PSMN057-200B,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 1,056
单价. : ¥23.53000
替代类型. : 类似
库存 : 1,056
单价. : ¥23.53000
替代类型. : 类似
型号 : IRF640SPBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 1,890
单价. : ¥17.49000
替代类型. : 类似
库存 : 1,890
单价. : ¥17.49000
替代类型. : 类似
型号 : IRF640STRRPBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 800
单价. : ¥24.56000
替代类型. : 类似
库存 : 800
单价. : ¥24.56000
替代类型. : 类似
型号 : STB19NF20
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥16.46000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥16.46000
替代类型. : 类似
型号 : IRF640STRLPBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 426
单价. : ¥17.49000
替代类型. : 类似
库存 : 426
单价. : ¥17.49000
替代类型. : 类似
型号 : PHB33NQ20T,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 5,311
单价. : ¥16.30000
替代类型. : 类似
库存 : 5,311
单价. : ¥16.30000
替代类型. : 类似