元器件型号详细信息

原厂型号
ES6U2T2R
摘要
MOSFET N-CH 20V 1.5A 6WEMT
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 1.5A(Ta) 700mW(Ta) 6-WEMT
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
180 毫欧 @ 1.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.8 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
110 pF @ 10 V
FET 功能
肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
700mW(Ta)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-WEMT
封装/外壳
6-SMD,扁平引线
基本产品编号
ES6U2

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Rohm Semiconductor ES6U2T2R

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规格书
1(ES6U2T2R)
PCN 产品变更/停产
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价格

-

替代型号

-