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GermanyIRFH5106TRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRFH5106TRPBF
摘要
MOSFET N-CH 60V 21A/100A 8PQFN
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 21A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），114W（Tc） 8-PQFN（5x6）
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.6 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
75 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3090 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.6W（Ta），114W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）
封装/外壳
8-PowerVDFN
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFH5106TRPBF
相关文档
规格书
()
产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
环保信息
1(PQFN 5x6 RoHS Compliance)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Multi Mosfet EOL 2/Mar/2016)
PCN 组装/来源
1(Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013)
PCN 封装
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML 规格书
1(IRFH5106PBF)
价格
-
替代型号
型号 : BSC067N06LS3GATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥13.20000
替代类型. : 类似
库存 : 0
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替代类型. : 类似
型号 : BSC042N03MSGATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 59
单价. : ¥7.87000
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型号 : CSD18533Q5A
制造商 : Texas Instruments
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型号 : DMT6010LFG-13
制造商 : Diodes Incorporated
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单价. : ¥2.54180
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