元器件型号详细信息

原厂型号
AUIRLR3105
摘要
MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 55 V 25A(Tc) 57W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
25A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
37 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
20 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
710 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
57W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D-PAK(TO-252AA)
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies AUIRLR3105

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规格书
1(AUIRLR3105)
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产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
()
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(D-Pak Leadframe BOM Update 26/Sep/2014)
PCN 封装
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML 规格书
1(AUIRLR3105)

价格

-

替代型号

型号 : IPD26N06S2L35ATMA2
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