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元器件型号详细信息
原厂型号
NVF3055-100T1G
摘要
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 3A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223（TO-261）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
110 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
455 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.3W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223（TO-261）
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号
NVF3055
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
NVF3055-100T1GOSTR
NVF3055-100T1G-ND
NVF3055-100T1GOSCT
NVF3055-100T1GOSDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NVF3055-100T1G
相关文档
规格书
1(NTF3055−100, NVF3055−100)
环保信息
()
PCN 封装
1(Covering Tape/Material Chg 20/May/2016)
HTML 规格书
1(NTF3055−100, NVF3055−100)
EDA 模型
1(NVF3055-100T1G by Ultra Librarian)
价格
-
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