元器件型号详细信息

原厂型号
IRFD9010PBF
摘要
MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP
详情
通孔 P 通道 50 V 1.1A(Tc) 1W(Tc) 4-HVMDIP
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
17 周
EDA/CAD 模型
标准包装
100

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
500 毫欧 @ 580mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
11 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
240 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
4-HVMDIP
封装/外壳
4-DIP(0.300",7.62mm)
基本产品编号
IRFD9010

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

*IRFD9010PBF
2266-IRFD9010PBF

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix IRFD9010PBF

相关文档

规格书
1(IRFD9010, SiHFD9010)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev 01/Feb/2023)
HTML 规格书
1(IRFD9010, SiHFD9010)

价格

数量: 10000
单价: $4.35455
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 5000
单价: $4.52464
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $4.76279
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $5.10298
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $6.46378
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $7.8246
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $10.036
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $11.26
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

-