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元器件型号详细信息
原厂型号
APT50GN60BDQ3G
摘要
IGBT FIELDSTOP COMBI 600V 50A TO
详情
IGBT 沟槽型场截止 600 V 107 A 366 W 通孔 TO-247-3
原厂/品牌
Microchip Technology
原厂到货时间
43 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Microchip Technology
系列
-
包装
管件
Product Status
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
107 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
150 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.85V @ 15V，50A
功率 - 最大值
366 W
开关能量
1.185mJ（开），1.565mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
325 nC
25°C 时 Td（开/关）值
20ns/230ns
测试条件
400V，50A，4.3 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
35 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
基本产品编号
APT50GN60
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Microchip Technology APT50GN60BDQ3G
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规格书
1(APT50GN60B_SDQ3(G))
环保信息
()
PCN 组装/来源
1(Wafer Fabrication Site 27/Oct/2021)
HTML 规格书
1(APT50GN60B_SDQ3(G))
价格
数量: 1
单价: $84.27
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-