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GermanyDMG10N60SCT
元器件型号详细信息
原厂型号
DMG10N60SCT
摘要
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
详情
通孔 N 通道 600 V 12A（Tc） 178W（Tc） TO-220AB
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
750 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
35 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1587 pF @ 16 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
178W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
DMG10
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMG10N60SCT
相关文档
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 2/Sep/2021)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Site Chg 6/Aug/2020)
价格
-
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