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GermanySCT50N120
元器件型号详细信息
原厂型号
SCT50N120
摘要
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
详情
通孔 N 通道 1200 V 65A（Tc） 318W（Tc） HiP247™
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
65A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
69 毫欧 @ 40A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
122 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1900 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
318W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
HiP247™
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
SCT50
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-1138-SCT50N120
497-16598-5
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics SCT50N120
相关文档
规格书
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产品培训模块
()
PCN 设计/规格
1(Lead Frame Base Material 20/Dec/2021)
PCN 组装/来源
1(SCTx/Hx/Wx 16/Jun/2022)
HTML 规格书
1(Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver)
EDA 模型
1(SCT50N120 by Ultra Librarian)
价格
数量: 100
单价: $248.7111
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $291.253
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $315.77
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
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