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GermanyF423MR12W1M1B76BPSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
F423MR12W1M1B76BPSA1
摘要
MOSFET MODULE
详情
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 45A（Tj） 底座安装 AG-EASY1B-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
24
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
EasyPACK™ CoolSiC™
包装
托盘
Product Status
停产
技术
碳化硅（SiC）
配置
4 N 沟道（半桥）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
45A（Tj）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
22.5 毫欧 @ 50A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.55V @ 20mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
124nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3680pF @ 800V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
AG-EASY1B-2
基本产品编号
F423MR
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP005408210
448-F423MR12W1M1B76BPSA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies F423MR12W1M1B76BPSA1
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规格书
1(F4-23MR12W1M1_B76)
PCN 产品变更/停产
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Chgs 25/Aug/2021)
HTML 规格书
1(F4-23MR12W1M1_B76)
EDA 模型
1(F423MR12W1M1B76BPSA1 by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-