元器件型号详细信息

原厂型号
BZX79B39 A0G
摘要
DIODE ZENER 39V 500MW DO35
详情
二极管 - 齐纳 39 V 500 mW ±2% 通孔 DO-35
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000

技术参数

制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
带盒(TB)
产品状态
在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
39 V
容差
±2%
功率 - 最大值
500 mW
阻抗(最大值)(Zzt)
130 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
27.3 mA @ 50 mV
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.5 V @ 100 mA
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装
DO-35
基本产品编号
BZX79

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0050

其它名称

BZX79B39 A0G-ND
BZX79B39A0G

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/二极管/齐纳/单齐纳二极管/Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B39 A0G

相关文档

规格书
1(BZX79B2V4 - BZX79B75)
环保信息
()
EDA 模型
1(BZX79B39 A0G by SnapEDA)

价格

-

替代型号

型号 : BZX55C39-TAP
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 28,230
单价. : ¥1.83000
替代类型. : 类似
型号 : BZX55B36-TR
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 29,934
单价. : ¥1.75000
替代类型. : 类似
型号 : 1N5259B-TR
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 104,879
单价. : ¥1.83000
替代类型. : 类似
型号 : BZX55B39-TAP
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 29,962
单价. : ¥1.75000
替代类型. : 类似
型号 : BZX55C36-TAP
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 28,632
单价. : ¥1.83000
替代类型. : 类似
型号 : BZX55B39-TR
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 30,000
单价. : ¥1.75000
替代类型. : 类似
型号 : 1N5259B TR PBFREE
制造商 : Central Semiconductor Corp
库存 : 9,914
单价. : ¥3.26000
替代类型. : 类似
型号 : TZX36C-TAP
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 9,320
单价. : ¥1.83000
替代类型. : 类似
型号 : BZX55C36-TR
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 6,310
单价. : ¥1.83000
替代类型. : 类似
型号 : 1N5258B-TAP
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 70,687
单价. : ¥1.83000
替代类型. : 类似
型号 : TZX36A-TAP
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 30,000
单价. : ¥1.83000
替代类型. : 类似
型号 : 1N5258B-TR
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 28,086
单价. : ¥1.83000
替代类型. : 类似