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GermanyEPC2016C
元器件型号详细信息
原厂型号
EPC2016C
摘要
GANFET N-CH 100V 18A DIE
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 18A（Ta） 模具
原厂/品牌
EPC
原厂到货时间
16 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
EPC
系列
eGaN®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16 毫欧 @ 11A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.5 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
420 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
模具
封装/外壳
模具
基本产品编号
EPC20
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
其它名称
917-1080-1
917-1080-2
917-1080-6
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/EPC EPC2016C
相关文档
规格书
1(EPC2016C)
产品培训模块
1(eGaN® FET Reliability)
视频文件
()
环保信息
1(EPC RoHS & Halogen Cert)
特色产品
1(EPC Low Voltage eGaN® FETs)
参考设计库
1(EPC9126: 75A, 0 ~ 80V, Pulsed Laser Diode Driver)
PCN 组装/来源
1(Assembly Site 25/Jun/2021)
PDC 图片（仅限内部）
1(EPC2016x Top View)
EDA 模型
1(EPC2016C by Ultra Librarian)
Forum Discussions
1(What do GaN FETS look like and how do they work?)
价格
数量: 5000
单价: $8.57278
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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最小包装数量: 2500
数量: 2500
单价: $8.90249
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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