IPB031NE7N3GATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPB031NE7N3GATMA1

摘要

MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

详情

表面贴装型 N 通道 75 V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3-2

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

>>>点击查询实时库存<<<

技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

75 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

3.1 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.8V @ 155µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

117 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

8130 pF @ 37.5 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

214W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3-2

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

IPB031

其它名称

IPB031NE7N3 GCT-ND

IPB031NE7N3 GTR-ND

IPB031NE7N3G

IPB031NE7N3 GCT

IPB031NE7N3 GDKR

2156-IPB031NE7N3GATMA1

INFINFIPB031NE7N3GATMA1

IPB031NE7N3GATMA1CT

IPB031NE7N3 GDKR-ND

IPB031NE7N3GATMA1TR

IPB031NE7N3 G-ND

IPB031NE7N3GATMA1DKR

IPB031NE7N3 G

SP000641730

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB031NE7N3GATMA1

价格

-

替代型号

型号 : IRF1407STRLPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 61
单价. : ¥22.74000
替代类型. : 类似

型号 : FDB86566-F085

制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥23.29000
替代类型. : 类似

型号 : STB160N75F3

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥45.63000
替代类型. : 类似

型号 : FDB031N08

制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥53.82000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN2R8-80BS,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥29.97000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN3R3-80BS,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 2,605
单价. : ¥25.84000
替代类型. : 类似

5204-0028-10 MP20042DG-JG-LF-P RNC60J7441BSB14 RN73H1JTTD1133B25 GRM155R71H331KA01D

IPB031NE7N3GATMA1

元器件型号详细信息

技术参数

相关信息

其它名称

所属分类/目录

相关文档

价格

替代型号

相似型号