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GermanyFCP165N65S3R0
元器件型号详细信息
原厂型号
FCP165N65S3R0
摘要
MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
详情
通孔 N 通道 650 V 19A（Tc） 154W（Tc） TO-220-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
SuperFET® III
包装
管件
Product Status
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
165 毫欧 @ 9.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 1.9mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
39 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1500 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
154W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
FCP165
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FCP165N65S3R0
相关文档
规格书
1(FCP165N65S3R0)
环保信息
()
特色产品
1(650 V, SuperFET® III MOSFETs)
PCN 设计/规格
1(SuperFet Datasheet Chg 30/Jul/2019)
PCN 组装/来源
1(Mat 9-29-22)
HTML 规格书
1(FCP165N65S3R0)
EDA 模型
1(FCP165N65S3R0 by Ultra Librarian)
价格
数量: 800
单价: $20.39188
包装: 管件
最小包装数量: 800
包装: 管件
最小包装数量: 800
替代型号
型号 : FCP165N65S3
制造商 : onsemi
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