English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIRFH5302DTRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRFH5302DTRPBF
摘要
MOSFET N-CH 30V 29A/100A PQFN
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 29A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
29A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.5 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.35V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3635 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.6W（Ta），104W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PQFN（5x6）单芯片焊盘
封装/外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
IRFH5302
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
448-IRFH5302DTRPBFDKR
448-IRFH5302DTRPBFTR
IRFH5302DTRPBF-ND
448-IRFH5302DTRPBFCT
SP001570962
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFH5302DTRPBF
相关文档
规格书
1(IRFH5302DPBF)
产品培训模块
()
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(IRFyy EOL 21/Jul/2021)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013)
PCN 封装
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML 规格书
1(IRFH5302DPBF)
EDA 模型
1(IRFH5302DTRPBF by Ultra Librarian)
仿真模型
1(IRFH5302DPBF Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : AONS62614T
制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 0
单价. : ¥19.08000
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥19.08000
替代类型. : 直接
型号 : CSD17576Q5BT
制造商 : Texas Instruments
库存 : 477
单价. : ¥12.48000
替代类型. : 类似
库存 : 477
单价. : ¥12.48000
替代类型. : 类似
型号 : FDMS0306AS
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥11.37000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥11.37000
替代类型. : 类似
型号 : CSD17576Q5B
制造商 : Texas Instruments
库存 : 393
单价. : ¥10.97000
替代类型. : 类似
库存 : 393
单价. : ¥10.97000
替代类型. : 类似
型号 : RJK0346DPA-01#J0B
制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 2,500
单价. : ¥10.22056
替代类型. : 类似
库存 : 2,500
单价. : ¥10.22056
替代类型. : 类似