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元器件型号详细信息
原厂型号
PMV50ENEAR
摘要
MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 3.9A（Ta） 510mW（Ta），3.9W（Tc） TO-236AB
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
43 毫欧 @ 3.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
276 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
510mW（Ta），3.9W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-236AB
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
PMV50
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
1727-2533-1
568-62972-6-ND
1727-2533-2
568-12972-6-ND
568-12972-1
568-12972-1-ND
568-12972-2-ND
PMV50ENEAR-ND
1727-2533-6
568-62972-6
934068715215
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Nexperia USA Inc. PMV50ENEAR
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规格书
1(PMV50ENEA)
特色产品
1(Automotive Small Signal Low RDS(ON) MOSFETs)
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()
HTML 规格书
1(PMV50ENEA)
价格
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