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GermanyPMGD175XN,115
元器件型号详细信息
原厂型号
PMGD175XN,115
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
详情
MOSFET - 阵列 30V 900mA 390mW 表面贴装型 6-TSSOP
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
900mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
225 毫欧 @ 1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.1nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
75pF @ 15V
功率 - 最大值
390mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
6-TSSOP
基本产品编号
PMGD1
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
NEXNXPPMGD175XN,115
PMGD175XN,115-ND
2156-PMGD175XN,115-ND
2156-PMGD175XN115
2156-PMGD175XN115-NXTR-ND
568-10793-6
568-10793-2
934066754115
568-10793-1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/NXP USA Inc. PMGD175XN,115
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规格书
1(PMGD175XN)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
()
PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML 规格书
1(PMGD175XN)
价格
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-