元器件型号详细信息

原厂型号
HN1B04F(TE85L,F)
摘要
TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 NPN,PNP 30V 500mA 200MHz 300mW 表面贴装型 SM6
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
晶体管类型
NPN,PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
30V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
250mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
70 @ 100mA,1V
功率 - 最大值
300mW
频率 - 跃迁
200MHz
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SC-74,SOT-457
供应商器件封装
SM6
基本产品编号
HN1B04

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

其它名称

HN1B04F(TE85LF)TR
HN1B04F(TE85LF)CT
HN1B04F (TE85L,F)
HN1B04F(TE85LF)DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极(BJT)/双极晶体管阵列/Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04F(TE85L,F)

相关文档

规格书
1(HN1B04F)
PCN 产品变更/停产
1(EOL_X34_Oct_2014 Oct/2014)

价格

-

替代型号

型号 : FMB2227A
制造商 : onsemi
库存 : 131
单价. : ¥4.29000
替代类型. : 类似