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GermanyPDTB113ES,126
元器件型号详细信息
原厂型号
PDTB113ES,126
摘要
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) PNP - 预偏压 50 V 500 mA 500 mW 通孔 TO-92-3
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000
供应商库存
技术参数
制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
带盒（TB）
Product Status
停产
晶体管类型
PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
500 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50 V
电阻器 - 基极 (R1)
1 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)
1 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
33 @ 50mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
300mV @ 2.5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500nA
功率 - 最大值
500 mW
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装
TO-92-3
基本产品编号
PDTB113
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
PDTB113ES AMO
PDTB113ES AMO-ND
934059144126
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/单，预偏置双极晶体管/NXP USA Inc. PDTB113ES,126
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规格书
1(PDTB113E)
环保信息
()
PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML 规格书
1(PDTB113E)
价格
-
替代型号
型号 : DTB113ECT116
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