allaboutcomponents.COM

最后更新

20250629
Language
简体中文
  English   Spain   Rusia   Italy   Germany

IPB80N06S209ATMA2

元器件型号详细信息

原厂型号
IPB80N06S209ATMA2
摘要
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详情
表面贴装型 N 通道 55 V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
26 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
>>>点击查询实时库存<<<

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.8 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 125µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
80 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2360 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
190W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
IPB80N

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

IPB80N06S209ATMA2-ND
SP001061716
2156-IPB80N06S209ATMA2
IPB80N06S209ATMA2CT
IFEINFIPB80N06S209ATMA2
IPB80N06S209ATMA2DKR
IPB80N06S209ATMA2TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB80N06S209ATMA2

相关文档

规格书
1(IPx80N06S2-09)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019)
PCN 封装
1(Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018)
仿真模型
1(OptimOS Spice Model)

价格

数量: 5000
单价: $10.53165
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
数量: 2000
单价: $10.93672
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
数量: 1000
单价: $11.74686
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
数量: 500
单价: $14.17722
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $17.2561
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $21.465
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $23.93
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $14.17722
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $17.2561
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $21.465
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $23.93
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : BUK9612-55B,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 14,641
单价. : ¥14.87000
替代类型. : 类似

相似型号

5000040873300-B-440-AL-9MCR18EZHF4872RN73H1JTTD2870D50SN74AUP1G00DSF2